[发明专利]一种去除掩模保护膜上颗粒的方法在审
| 申请号： | 201911300671.9 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111128678A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨长华;尤春;刘维维;季书凤;薛文卿 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王会 |
| 地址： | 214135 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去除掩模保护膜上颗粒的方法，包括以下步骤：S1、找到掩模保护膜上的颗粒位置；S2、将异丙醇或无水乙醇滴加到颗粒位置处；S3、异丙醇或无水乙醇水滴在颗粒处来回滚动，吸附并包裹在保护膜表面的颗粒与保护膜分离；S4、用无尘布将异丙醇或无水乙醇水滴吸干。本发明提供的去除掩模保护膜上颗粒的方法，采用异丙醇或无水乙醇水滴的滚动把吸附性很强的灰尘颗粒去除，代替氮气枪吹扫，避免由于氮气压力过大而损伤保护膜的透光率，步骤简单、方便实用，减少由于颗粒去除不掉带来的拆膜、清洗、检测、安装保护膜等生产工序，缩短生产周期，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 保护膜 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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