[发明专利]一种Ti薄膜吸气剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201911288533.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112973617A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吴华亭;熊玉华;崔建东;史志胜 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B01J20/02 | 分类号： | B01J20/02;B01J20/28;B01J20/30;C23C14/16;C23C14/35;B01D53/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘徐红 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ti薄膜吸气剂及其制备方法，属于薄膜吸气剂制备技术领域。该Ti薄膜吸气剂由一层吸气层组成，该吸气层中Ti的质量含量为99.95％以上。制备时，先采用标准RCA工艺对单晶硅基片进行清洗处理；然后采用Ti金属靶材，用磁控溅射方法将Ti沉积单晶硅基片上，得到一层致密Ti薄膜作为吸气层。本发明的Ti薄膜吸气剂可在较低温度(300～450℃)并且较短时间(10～30min)内实现激活，激活后的吸气剂在室温条件下具有良好的吸气性能，可用于消除高真空微电子器件内部的残余气体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ti 薄膜 吸气 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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