[发明专利]一种Ti薄膜吸气剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201911288533.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112973617A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吴华亭;熊玉华;崔建东;史志胜 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B01J20/02 | 分类号： | B01J20/02;B01J20/28;B01J20/30;C23C14/16;C23C14/35;B01D53/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘徐红 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ti 薄膜 吸气 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ti薄膜吸气剂，其特征在于：由一层吸气层组成，该吸气层中Ti的质量含量为99.95％以上。
2.根据权利要求1所述的Ti薄膜吸气剂，其特征在于：所述吸气层为致密结构，无开放的气体扩散通道，厚度为800～1200nm。
3.根据权利要求2所述的Ti薄膜吸气剂，其特征在于：所述Ti薄膜吸气剂沉积在单晶硅基片上。
4.根据权利要求3所述的Ti薄膜吸气剂，其特征在于：所述Ti薄膜吸气剂的激活温度为300～450℃，激活时间为10～30min。
5.一种Ti薄膜吸气剂的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用标准RCA工艺对单晶硅基片进行清洗处理；
(2)采用Ti金属靶材，用磁控溅射方法将Ti沉积在步骤(1)所得单晶硅基片上，得到一层致密Ti薄膜作为吸气层。
6.根据权利要求5所述的Ti薄膜吸气剂的制备方法，其特征在于：在沉积Ti薄膜前，先进行预溅射除去靶材表面的氧化层；在镀膜腔室的真空度优于5.0×10-4Pa时，向腔室内通入高纯氩气，将溅射气压控制在0.2～0.5Pa，然后开始预溅射；预溅射功率为50～200W，靶基距为4～8cm，预溅射时间为30～60min。
7.根据权利要求6所述的Ti薄膜吸气剂的制备方法，其特征在于：预溅射之后，在单晶硅基片上沉积Ti薄膜，溅射气压为0.2～0.5Pa，溅射功率为50～200W，靶基距为4～8cm，沉积时间为30～120min。
8.根据权利要求5所述的Ti薄膜吸气剂的制备方法，其特征在于：采用Ti金属靶材的纯度为99.95wt.％以上。
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