[发明专利]一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的电压传感器及制备方法在审
| 申请号： | 201911283736.3 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN112968001A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 万景;刘冉;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L27/088;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的电压传感器及制备方法，传感器包括环形振荡器，所述环形振荡器包括n个倒相器，所述每个倒相器结构从下到上依次为：衬底、氮化镓缓冲层、铝镓氮层。振荡器建立在氮化镓/铝镓氮的高电子迁移率的异质结衬底上，相对于传统的电力信号无线传感系统，本传感器通过压控环形振荡器直接将电压信号转换为调频信号，系统结构简单高效。此外，系统使用氮化镓基的衬底，具有耐高压击穿，抗干扰能力强和发射频率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 铝镓氮异质结 电压 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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