[发明专利]一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911278246.4 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110961135A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 应宗荣;孙静;谢杰;王奇 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法。本发明制备方法包含以下步骤：第一步，水热制备类石墨相氮化碳；第二步，水热制备尖晶石类铁酸盐；第三步，将两者混合；第四步，将两者混合物进行烧结；第五步，获得类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料。水热条件为100～200℃之间水热24～72小时。烧结条件为在惰性气氛下400～600℃之间烧结4～6小时。本发明制备方法简便易行，易于工业化，制备的复合半导体材料光催化性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 种类 石墨 氮化 复合 纳米 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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