[发明专利]一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911278246.4 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110961135A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 应宗荣;孙静;谢杰;王奇 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 种类 石墨 氮化 复合 纳米 半导体材料 制备 方法 | ||
1.一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法，其特征在于：依次包括以下步骤：
第一步，水热制备类石墨相氮化碳；
第二步，水热制备尖晶石类铁酸盐；
第三步，将得到的类石墨相氮化碳和尖晶石类铁酸盐混合，得到含有尖晶石类铁酸盐的类石墨相氮化碳混合物；
第四步，将含有尖晶石类铁酸盐的类石墨相氮化碳混合物进行烧结；
第五步，获得类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料。
2.根据权利要求1所述的一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法，其特征在于：第一步水热制备类石墨相氮化碳采用的原料为三聚氯氰、双氰胺、尿素、二氰二胺之一种或者一种以上。
3.根据权利要求1所述的一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法，其特征在于：第二步水热制备尖晶石类铁酸盐采用的原料为过渡金属的水溶性盐。
4.根据权利要求1～3任一项所述的一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法，其特征在于：采用的过渡金属水溶性盐为过渡金属的镍盐、钴盐、锰盐、铜盐、锌盐、铁盐之一种或一种以上。
5.根据权利要求1～4任一项所述的一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法，其特征在于：第一步和第二步的水热条件为100～200℃之间水热反应24～72小时。
6.根据权利要求1～5任一项所述的一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法，其特征在于：第三步采用的类石墨相氮化碳与尖晶石类铁酸盐之质量比为0.95～0.7∶0.05～0.3。
7.根据权利要求1～6任一项所述的一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法，其特征在于：尖晶石类铁酸盐为NixCo1-xFe2O4。
8.根据权利要求1～7任一项所述的一种类石墨相氮化碳基复合纳米半导体材料的制备方法，其特征在于：第四步的烧结条件为在惰性气氛下400～600℃之间烧结4～9小时。
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