[发明专利]一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺在审
| 申请号： | 201911277408.2 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN112992744A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 景彦姣;王朋;林海峰 | 申请（专利权）人： | 东方日升（洛阳）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18;C23C16/32;C23C16/515;C30B25/00 |
| 代理公司： | 洛阳高智达知识产权代理事务所(普通合伙) 41169 | 代理人： | 李世平 |
| 地址： | 471000*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种PECVD石墨舟碳化硅饱和处理工艺，开始，充氮，开炉门，关炉门，慢抽，升温，恒温，恒压，预沉积，沉积步骤分成三次执行，在石墨舟表面填补沉积饱和后形成稳定的碳化硅SiC膜层，第一次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，第二次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，第三次执行：抽真空，恒压，沉积碳化硅膜层，抽真空，充氮气N2，抽真空，充氮气N2回常压，开炉门，取舟，采用甲烷、硅烷对PECVD清洗后的石墨舟进行预处理饱和，石墨舟内外表面的碳化硅SiC膜层即能起到耐腐蚀膜层的作用，也具为更光滑的石墨性质，能够形成对石墨舟的长效保护，同时大大减少了硅片与石墨舟舟片的之间的作用力，使硅片与石墨舟之间为更好的贴合效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 石墨 碳化硅 饱和 处理 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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