[发明专利]图像传感器单元及其制备方法在审
| 申请号： | 201911259163.0 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110797368A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 范春晖 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/374 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 陶金龙;张磊 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种图像传感器单元及其制备方法，图像传感器单元包括形成于衬底的有源区上且相连接的光电二极管和浮置扩散区，以及形成于有源区边界上的浅槽隔离区，浮置扩散区的边界与浅槽隔离区的边界之间具有间隙，第一保护区形成于所述间隙中，第一保护区具有与浮置扩散区相反的掺杂类型，并与浮置扩散区形成PN结，用于对浮置扩散区和浅槽隔离区进行隔离，和/或第二保护区形成于浮置扩散区的底部，第二保护区具有与浮置扩散区相反的掺杂类型，并与浮置扩散区形成PN结，用于对浮置扩散区和衬底进行隔离。本发明能够有效降低浮置扩散区节点电容的寄生漏电和噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 浮置扩散区 保护区 浅槽隔离区 图像传感器单元 掺杂类型 衬底 隔离 光电二极管 节点电容 源区边界 漏电 寄生 源区 噪声 制备 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器单元，其特征在于，包括：形成于衬底的有源区上且相连接的光电二极管和浮置扩散区，以及形成于所述有源区边界上的浅槽隔离区，所述浮置扩散区的边界与所述浅槽隔离区的边界之间具有间隙，第一保护区形成于所述间隙中，所述第一保护区具有与所述浮置扩散区相反的掺杂类型，并与所述浮置扩散区形成PN结，用于对所述浮置扩散区和所述浅槽隔离区进行隔离，和/或第二保护区形成于所述浮置扩散区的底部，所述第二保护区具有与所述浮置扩散区相反的掺杂类型，并与所述浮置扩散区形成PN结，用于对所述浮置扩散区和所述衬底进行隔离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
