[发明专利]图像传感器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器单元，其特征在于，包括：形成于衬底的有源区上且相连接的光电二极管和浮置扩散区，以及形成于所述有源区边界上的浅槽隔离区，所述浮置扩散区的边界与所述浅槽隔离区的边界之间具有间隙，第一保护区形成于所述间隙中，所述第一保护区具有与所述浮置扩散区相反的掺杂类型，并与所述浮置扩散区形成PN结，用于对所述浮置扩散区和所述浅槽隔离区进行隔离，和/或第二保护区形成于所述浮置扩散区的底部，所述第二保护区具有与所述浮置扩散区相反的掺杂类型，并与所述浮置扩散区形成PN结，用于对所述浮置扩散区和所述衬底进行隔离。

2.根据权利要求1所述的图像传感器单元，其特征在于，所述第一保护区与所述第二保护区相连。

3.根据权利要求1所述的图像传感器单元，其特征在于，所述第二保护区具有与所述衬底相同的掺杂类型，且所述第二保护区的掺杂浓度高于所述衬底的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的图像传感器单元，其特征在于，所述间隙的宽度为0.05微米到0.5微米。

5.根据权利要求1所述的图像传感器单元，其特征在于，还包括：形成于所述衬底的有源区上的全局晶体管、传输晶体管、复位晶体管、源跟随器和行选择晶体管；其中，所述光电二极管的一侧通过所述全局晶体管连接到电源电压，所述光电二极管的另一侧通过所述传输晶体管连接到所述浮置扩散区，所述浮置扩散区通过所述复位晶体管、源跟随器和行选择晶体管连接到信号输出端。

6.一种图像传感器单元制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上定义出有源区，并在所述有源区上形成相连接的光电二极管和浮置扩散区，以及在所述有源区的边界上形成围绕所述有源区的浅槽隔离区；其中，所述浮置扩散区的边界与所述浅槽隔离区的边界之间具有间隙；

在所述间隙上方形成光刻窗口；

通过所述光刻窗口并以倾角注入方式，对所述衬底进行与所述浮置扩散区相反掺杂类型的离子注入，将杂质同时注入到所述浮置扩散区边缘的所述间隙中及所述浮置扩散区的底部下方；

退火，在所述间隙中及所述浮置扩散区的底部下方形成保护区。

7.根据权利要求6所述的图像传感器单元制备方法，其特征在于，还包括：

在所述有源区上形成全局晶体管、传输晶体管、复位晶体管、源跟随器和行选择晶体管，使所述光电二极管的一侧连接所述全局晶体管，使所述光电二极管的另一侧通过所述传输晶体管连接到所述浮置扩散区，并使所述浮置扩散区连接所述复位晶体管、源跟随器和行选择晶体管。

8.根据权利要求6所述的图像传感器单元制备方法，其特征在于，所述间隙的宽度为0.05微米到0.5微米。

9.根据权利要求6所述的图像传感器单元制备方法，其特征在于，使倾角注入时的掺杂浓度高于所述衬底的掺杂浓度。

10.根据权利要求6所述的图像传感器单元制备方法，其特征在于，所述倾角为相对于垂直方向倾斜10度到45度。