[发明专利]一种紫外光电器件及其制备方法有效
申请号: | 201911257509.3 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN111063750B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 何晨光;赵维;吴华龙;陈志涛;张康;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 | 申请(专利权)人: | 广东省半导体产业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 李梦宁 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种紫外光电器件及其制备方法,涉及半导体技术领域。所述紫外光电器件包括衬底以及在所述衬底上依次生长的基板、n型AlGaN层、有源区和p型AlGaN层;所述p型AlGaN层包括第一本体和位于所述第一本体的顶面的第一台阶,相邻两个第一台阶之间的落差距离L大于单原子层的厚度。紫外光电器件及其制备方法,能够在相邻两个所述第一台阶的落差方向上堆砌多个单原子,在所述p型AlGaN层上形成台阶聚并(stepbunching)效应,从而提高空穴输运效率和弱化紫外吸收,提高器件的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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