[发明专利]一种紫外光电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911257509.3 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111063750B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 何晨光;赵维;吴华龙;陈志涛;张康;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 李梦宁 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种紫外光电器件，其特征在于，所述紫外光电器件包括衬底(110)以及在所述衬底(110)上依次生长的基板(120)、n型AlGaN层(130)、有源区(140)和p型AlGaN层(150)；所述p型AlGaN层(150)包括第一本体(170)和位于所述第一本体(170)的顶面的第一台阶(180)，相邻两个所述第一台阶(180)之间的落差距离L大于单原子层的厚度，所述第一台阶(180)的顶面相对于所述衬底(110)的底面的倾角a的范围为：0.5°～6°，所述衬底(110)包括第二本体(190)和位于所述第二本体(190)的顶面的第二台阶(200)，所述第二台阶(200)通过所述基板(120)、所述n型AlGaN层(130)、所述有源区(140)依次传承，形成所述第一台阶(180)，所述第二台阶(200)的顶面相对于所述衬底(110)的底面的倾角的范围为：0.5°～6°。
2.根据权利要求1所述的紫外光电器件，其特征在于，所述第二台阶(200)的顶面相对于所述衬底(110)的底面的倾角的范围为：1°～2°。
3.一种紫外光电器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底(110)上依次生长的基板(120)、n型AlGaN层(130)、有源区(140)和p型AlGaN层(150)；其中，所述p型AlGaN层(150)包括第一本体(170)和位于所述第一本体(170)的顶面的第一台阶(180)，相邻两个所述第一台阶(180)之间的落差距离L大于单原子层的厚度，所述第一台阶(180)的顶面相对于所述衬底(110)的底面的倾角a的范围为：0.5°～6°，所述衬底(110)包括第二本体(190)和位于所述第二本体(190)的顶面的第二台阶(200)，所述第二台阶(200)通过所述基板(120)、所述n型AlGaN层(130)、所述有源区(140)依次传承，形成所述第一台阶(180)，所述第二台阶(200)的顶面相对于所述衬底(110)的底面的倾角的范围为：0.5°～6°。
4.根据权利要求3所述的紫外光电器件的制备方法，其特征在于，所述第二台阶(200)的顶面相对于所述衬底(110)的底面的倾角的范围为：1°～2°。
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H01L31-04 .用作转换器件的
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