[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911252200.5 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111384240A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金承默 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。用于制造半导体器件的方法包括形成上部结构，其中底电极、电介质层、顶电极和等离子体保护层依次层叠在下部结构上，将所述上部结构暴露于等离子体处理，并且将被等离子体处理的所述上部结构和所述下部结构暴露于氢钝化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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