[发明专利]聚磷酸铵忆阻器及其制备方法与在制备人工突触模拟器件中的应用有效
| 申请号： | 201911245275.0 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110957423B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;G06N3/063 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于聚磷酸铵的忆阻器及其制备方法与在制备人工突触模拟器件中的应用，针对目前晶体管器件尺寸不断缩小达到极限的同时伴有芯片发热等一系列的副作用，新型电路元器件的研究与应用变得至关重要。本发明公开一种纳米级尺寸的忆阻器具有结构简单，尺寸小，功耗低，柔性好，微纳米级调控，易于集成，与mos系统的兼容性好等优势，是目前已知与突触尺寸和功能最接近的器件而可以进一步模仿人工智能的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 磷酸铵 忆阻器 及其 制备 方法 人工 突触 模拟 器件 中的 应用 | ||
【主权项】：
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