[发明专利]聚磷酸铵忆阻器及其制备方法与在制备人工突触模拟器件中的应用有效
| 申请号： | 201911245275.0 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110957423B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;G06N3/063 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷酸铵 忆阻器 及其 制备 方法 人工 突触 模拟 器件 中的 应用 | ||
【权利要求书】：
1.聚磷酸铵作为活性层在制备忆阻器中的应用。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述忆阻器包括导电基底、聚磷酸铵膜、电极。
3. 忆阻器活性层，其特征在于，所述忆阻器活性层的制备方法包括以下步骤，加热导电基底，将聚磷酸铵水溶液旋涂在导电基底的导电面上，退火处理后得到忆阻器活性层；旋涂的速度为2500~3500r/min；退火处理的温度为80～120 度，时间为11～13小时。
4.权利要求3所述忆阻器活性层在制备聚磷酸铵器件忆阻器中的应用。
5.聚磷酸铵忆阻器，其特征在于，所述聚磷酸铵忆阻器的制备方法包括以下步骤，加热导电基底，将聚磷酸铵水溶液旋涂在导电基底的导电面上，退火处理后制备电极，得到聚磷酸铵忆阻器；旋涂的速度为2500~3500r/min；退火处理的温度为80～120℃，时间为11～13小时。
6.根据权利要求5所述的聚磷酸铵忆阻器，其特征在于，导电基底为ITO玻璃或者导电硅胶；导电基底加热后，再旋涂聚磷酸铵水溶液。
7. 根据权利要求5所述的聚磷酸铵忆阻器，其特征在于，聚磷酸铵水溶液的浓度为80mg/mL～120 mg/mL。
8.权利要求5所述聚磷酸铵忆阻器在制备人工突触模拟器件中的应用。
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