[发明专利]SiC外延生长装置有效
| 申请号： | 201911232930.9 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111321464B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 梅田喜一;奥野好成;金田一麟平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方，上述顶部的内表面的放射率比上述侧壁部的内表面的放射率低。 | ||
| 搜索关键词： | sic 外延 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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