[发明专利]SiC外延生长装置有效
| 申请号： | 201911232930.9 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111321464B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 梅田喜一;奥野好成;金田一麟平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 外延 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC外延生长装置，其中，具备：
载置台，其具有载置SiC晶片的载置面；和
炉体，其覆盖所述载置台，
所述炉体具有：
侧壁部；
顶部，其具有向所述炉体内供给原料气体的多个供给口，并覆盖所述供给口的周围，位于所述载置台的上方，且与所述载置面对置；以及
锥形部，其将所述顶部与所述侧壁部相连，
所述供给口相对于所述顶部的面积的面积率是0.01以上0.3以下，
所述顶部的内表面以及所述锥形部的内表面的放射率比所述侧壁部的内表面的放射率低，
所述顶部的内表面以及所述锥形部的内表面用TaC被涂层，
所述侧壁部的内表面用SiC被涂层，
所述SiC外延生长装置还具备加热器，该加热器以将所述载置台与所述顶部连接的假设线为轴，沿周向包围所述侧壁部的外周，
所述加热器的上端位于比所述顶部以及所述锥形部靠下方的位置，
从所述供给口供给的所述原料气体在所述SiC晶片上进行反应，形成外延膜。
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