[发明专利]一种降低三五族半导体器件寄生电容的方法及三五族半导体器件结构在审
| 申请号： | 201911215121.7 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112993018A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 何伟志;吴俊鹏 | 申请（专利权）人： | 吴俊鹏;陈纪宇 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾新竹市北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种三五族半导体器件，包括:具有源极区及漏极区的衬底、源极，设置于衬底且对应于源极区、漏极，设置于衬底且对应于漏极区、栅极，设置于源极及漏极之间、第一保护层，具有第一凹槽及第二凹槽分别设置在源极及漏极上，且覆盖部分衬底，且于栅极及源极与漏极之间的衬底上没有覆盖所述第一保护层、第二保护层，设置在位于漏极的第一保护层的侧壁上，且侧壁相邻于所述栅极以及场板结构，设置于第一凹槽及设置于第二凹槽内并覆盖部分位于源极及漏极上的第一保护层，且在源极上的场板结构延伸至第二保护层上以及覆盖在相邻于第二保护层的部分第一保护层，其中在源极区上的第一保护层、场板结构及第一保护层环绕栅极，且场板结构与栅极之间具有空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 三五 半导体器件 寄生 电容 方法 结构 | ||
【主权项】：
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