[发明专利]一种沟槽IGBT及其制作方法在审
| 申请号： | 201911214968.3 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110890422A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 高姗 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，具体公开了一种沟槽IGBT及其制作方法，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。本发明可以通过在真沟槽栅单元之间增加假沟槽单元和/或假沟槽栅单元来降低饱和压降、优化抗短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏宏微科技股份有限公司，未经江苏宏微科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911214968.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无机人造石复色纹路的制作方法
- 下一篇：物联网设备语音控制方法及语音服务端
- 同类专利
- 专利分类
