[发明专利]一种沟槽IGBT及其制作方法在审
申请号: | 201911214968.3 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN110890422A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 俞义长;赵善麒 | 申请(专利权)人: | 江苏宏微科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 高姗 |
地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沟槽 igbt 及其 制作方法 | ||
1.一种沟槽IGBT,包括半导体衬底和IGBT元胞,所述半导体衬底为N型衬底,其特征在于,所述IGBT元胞为对称结构,所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元,两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元,两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元,所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属,所述假沟槽单元连接发射极金属。
2.一种沟槽IGBT,包括半导体衬底和IGBT元胞,所述半导体衬底为N型衬底,其特征在于,所述IGBT元胞为对称结构,所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元,两个所述真沟槽栅单元之间设置有一个假沟槽栅单元,所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属,所述发射极金属设置在真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元之间。
3.一种沟槽IGBT,包括半导体衬底和IGBT元胞,所述半导体衬底为N型衬底,其特征在于,所述IGBT元胞为对称结构,所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元,两个所述真沟槽栅单元之间设置有一个假沟槽单元,所述真沟槽栅单元连接栅极金属,所述假沟槽单元连接发射极金属。
4.根据权利要求1、2或3所述的沟槽IGBT,其特征在于,相邻沟槽之间设置有第一掺杂区,所述第一掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反。
5.根据权利要求4所述的沟槽IGBT,其特征在于,所述真沟槽栅单元的两侧设置分别有与所述第一掺杂区的掺杂类型相反的第二掺杂区。
6.根据权利要求5所述的沟槽IGBT,其特征在于,所述发射极金属连接所述第一掺杂区和所述第二掺杂区。
7.一种沟槽IGBT制作方法,用于制作权利要求1-6任一项所述的沟槽IGBT,在半导体衬底上制作多个沟槽,在所述沟槽内沉积氧化层,然后沉积多晶硅层,接着将表面多余的多晶硅去除,其特征在于,包括:
在相邻两个所述沟槽之间注入推结,形成导电层;
在真沟槽栅单元的两侧注入推结,形成源区;
将真沟槽栅单元和假沟槽栅单元连接栅极金属,假沟槽单元连接发射极金属。
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