[发明专利]一种钙钛矿异质结结构及其制备方法和应用有效
申请号: | 201911214261.2 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN111223995B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 袁永波;陈逸夫;王继飞;罗师强 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人: | 何方 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种钙钛矿异质结结构及其制备方法和应用,所述异质结由三维钙钛矿、层状钙钛矿构成,三维杂化钙钛矿通过晶格匹配外延出层状钙钛矿。本发明这种因晶格匹配外延生长形成的三维钙钛矿/层状钙钛矿异质结,会诱导层状钙钛矿在三维钙钛矿表面定向排列,不仅使得层状钙钛矿充当三维钙钛矿的保护层,同时两个具有不同电子结构的材料相之间通过化学键的方式结合在一起,使得紧密接触的程度达到了原子级别,并因此可以发生显著的电子云交叠、晶格调制、界面应力等作用,可形成新的界面电子结构及新的能带弯曲现象,显著影响界面电荷转移、能量转移、载流子迁移、复合等现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿异质结 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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