[发明专利]一种钙钛矿异质结结构及其制备方法和应用有效
| 申请号: | 201911214261.2 | 申请日: | 2019-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN111223995B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
| 发明(设计)人: | 袁永波;陈逸夫;王继飞;罗师强 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司: | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人: | 何方 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 钙钛矿异质结 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种钙钛矿异质结结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1) 制备三维钙钛矿单晶;
(2) 配制饱和的层状钙钛矿前驱液;
(3) 将三维钙钛矿单晶浸泡在饱和的层状钙钛矿前驱液中,或者将三维钙钛矿单晶和饱和的层状钙钛矿前驱液相接触,使层状钙钛矿在三维钙钛矿单晶表面外延生长,将三维钙钛矿包裹覆盖,得到基于晶格匹配形成的三维钙钛矿/层状钙钛矿异质结结构;
所述的钙钛矿异质结结构由三维钙钛矿、层状钙钛矿构成,三维杂化钙钛矿通过晶格匹配外延出层状钙钛矿。
2.根据权利要求1所述钙钛矿异质结结构的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,三维钙钛矿的结构为ABX3;A为阳离子,具体为MA+ 、FA+ 和Cs+中的一种;B为金属阳离子,具体为Pb2+或Sn2+;X为卤化物,具体为Cl- 、Br-和I-中的一种。
3.根据权利要求1或2所述钙钛矿异质结结构的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,通过蒸发法、降温法、反溶剂扩散法以及逆温生长法中的任意一种,制得三维钙钛矿单晶。
4.根据权利要求3所述钙钛矿异质结结构的制备方法,其特征在于,采用逆温生长法制备三维钙钛矿单晶,具体步骤为:
1) 配制三维钙钛矿前驱体溶液,将溶液分为两份,一份为A,一份为B,将溶液放置于热台上并在室温条件下用磁子搅拌加速溶解;
2) 将B置于高温油浴中,待B中长出多颗晶籽,再将B中的晶籽投入到A中,然后每天增加油浴的温度,由于溶液温度的增加会导致溶液溶解度下降,这样A中被投放的晶籽会缓慢长大,一星期后便可以收集A中的三维钙钛矿单晶。
5.根据权利要求1所述钙钛矿异质结结构的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,层状钙钛矿的结构是R2An-1BnX3n+1,其中R是有机大分子,具体为PEA+、BA+ 和EDA2+中的一种,它充当了无机片层的间隔物,n为无机片层的数量。
6.根据权利要求1或5所述钙钛矿异质结结构的制备方法,其特征在于,所述层状钙钛矿为RP型或者DJ型。
7.根据权利要求1所述钙钛矿异质结结构的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,层状钙钛矿前驱液的温度为40~55°C。
8.根据权利要求1所述钙钛矿异质结结构的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,将三维钙钛矿单晶浸泡在饱和的层状钙钛矿前驱液中,保证三维钙钛矿是悬浮在层状钙钛矿前驱液中。
9.一种钙钛矿异质结结构的应用,其特征在于,将其应用于太阳能电池器件,所述钙钛矿异质结结构为权利要求1所述的或由权利要求2~8中任一项所述钙钛矿异质结结构的制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





