[发明专利]一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法有效
| 申请号： | 201911212859.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110862964B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈相波;应荣;田朋飞;雷鸣 | 申请（专利权）人： | 上海奈康生物科技有限公司 |
| 主分类号： | C12N5/0783 | 分类号： | C12N5/0783 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区南汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，包括如下步骤：步骤一，采用了淋巴细胞分离液从外周血或者脐带血中分离淋巴细胞；步骤二，将淋巴细胞用第一溶液重悬，24h后用第二溶液对TSCM细胞进行扩增培养，经过22天的扩增培养，收获达到应用标准的TSCM；第一溶液的配方包括：RPMI1640培养基，HEPES：25mmol/L，青霉素：100U/ml，谷氨酰胺：2mmol/L，胎牛血清：9‑10％(w/v)；第二溶液的配方包含1‑4U/ml的细胞因子；本发明解决了记忆性T细胞(TCM)在体外培养过程中容易分化成TEM的问题；干细胞样记忆性T细胞(TSCM)诱导活化率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 干细胞 记忆 细胞 扩增 方法 | ||
【主权项】：
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