[发明专利]一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法

说明书

本发明公开了一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，包括如下步骤：步骤一，采用了淋巴细胞分离液从外周血或者脐带血中分离淋巴细胞；步骤二，将淋巴细胞用第一溶液重悬，24h后用第二溶液对TSCM细胞进行扩增培养，经过22天的扩增培养，收获达到应用标准的TSCM；第一溶液的配方包括：RPMI1640培养基，HEPES：25mmol/L，青霉素：100U/ml，谷氨酰胺：2mmol/L，胎牛血清：9‑10％(w/v)；第二溶液的配方包含1‑4U/ml的细胞因子；本发明解决了记忆性T细胞(TCM)在体外培养过程中容易分化成TEM的问题；干细胞样记忆性T细胞(TSCM)诱导活化率高。

技术领域

本发明涉及细胞扩增领域，特别是一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法。

背景技术

继手术、放疗、化疗后，过继性免疫疗法已成为肿瘤有效的治疗方式之一，近期受到广泛关注。其中嵌合抗原受体T细胞技术(Cheimeric Antigen Receptors-T cell,CAR-T)是一种新出现的过继性细胞疗法，该技术将患者T细胞在体外修饰、活化和增殖后回输到患者体内，通过T细胞表达的特异性受体，靶向性的识别肿瘤细胞，并显示较强的杀伤活性和持久性；然而目前回输的免疫细胞都是基于终末分化的效应性T细胞(TEM)，在体内难以长期存活，极大的影响了过继性细胞治疗的临床疗效。特别是实体瘤，肿瘤微环境复杂，对免疫细胞具有免疫抑制作用，使得T细胞难以进入肿瘤内部；市场需要一种活化率高的干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，本发明解决这样的问题。

发明内容

为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，解决了记忆性T细胞(TCM)在体外培养过程中容易分化成TEM的问题；干细胞样记忆性T细胞(TSCM)诱导活化率高。

为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：

一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，包括如下步骤：

步骤一，采用了淋巴细胞分离液从外周血或者脐带血中分离淋巴细胞；

淋巴细胞分离液的配方包括：泛影葡胺钠：9-10％w/v，多糖：5-6％w/v；

步骤二，将细胞密度为5×105/ml-1×106/ml的淋巴细胞用第一溶液重悬，24h后用第二溶液对TSCM细胞进行扩增培养，扩增培养过程中，每3天补加一次，每次补加等量的第二溶液，经过22天的扩增培养，收获达到应用标准的TSCM；

第一溶液的配方包括：

RPMI1640培养基

HEPES：25mmol/L，

青霉素：100U/ml，

谷氨酰胺：2mmol/L，

胎牛血清：9-10％(w/v)；

第二溶液的配方包括：RPMI1640培养基，10％胎牛血清，1-4U/ml的细胞因子。

前述的一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，第二溶液的配方包括：RPMI1640培养基，10％胎牛血清，1U/ml的IL-7。

前述的一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，第二溶液的配方包括：RPMI1640培养基，10％胎牛血清，2U/ml的IL-15。

前述的一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，第二溶液的配方包括：RPMI1640培养基，10％胎牛血清，1U/ml的IL-19。

前述的一种干细胞样记忆性T细胞的扩增方法，第二溶液的配方包括：RPMI1640培养基，10％胎牛血清，1U/ml的IL-7，2U/ml的IL-15。