[发明专利]具有平台结构的半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911211806.4 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112993005A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张峻铭;廖文荣;侯俊良 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有平台结构的半导体元件及其制作方法，其中该平台结构包含一基底，一平台凸出于基底，平台包含一个坡面和一上表面，前述坡面环绕上表面，其中一晶格破坏区设置于坡面的内侧，平台可选择性包含一绝缘层覆盖于晶格破坏区，其中绝缘层为氧化层或氮化层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平台 结构 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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