[发明专利]具有平台结构的半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种具有平台结构的半导体元件，其特征在于，包含：

平台结构，包含：

基底；

平台，凸出于该基底，该平台包含一个坡面和一上表面，该坡面环绕该上表面；以及

晶格破坏区，设置于该坡面的内侧。

2.如权利要求1所述的具有平台结构的半导体元件，其中该晶格破坏区包含氮、氧、氢、氟、氦、氩、镁、锌、磷、氦、铁、氪、氙-131、硼或砷。

3.如权利要求1所述的具有平台结构的半导体元件，其中该晶格破坏区内没有二维电子气。

4.如权利要求1所述的具有平台结构的半导体元件，另包含绝缘层，设置在该坡面上，其中该绝缘层包含氧化层或氮化层。

5.如权利要求1所述的具有平台结构的半导体元件，其中该绝缘层的厚度小于5纳米。

6.如权利要求1所述的具有平台结构的半导体元件，其中该晶格破坏区的厚度小于50纳米。

7.如权利要求1所述的具有平台结构的半导体元件，另包含：多个该平台，凸出于该基底，相邻的各该平台之间设置有沟槽。

8.如权利要求7所述的具有平台结构的半导体元件，其中该沟槽的侧壁为相邻的两个该多个平台各自的坡面，该沟槽的底部为该基底的上表面。

9.权利要求8所述的具有平台结构的半导体元件，其中该晶格破坏区设置于该沟槽的底部。

10.权利要求1所述的具有平台结构的半导体元件，其中该平台包含III-V族半导体堆叠层。

11.权利要求10所述的具有平台结构的半导体元件，另包含：

栅极电极，设置于该平台上；以及

源极电极和漏极电极，设置于该平台上并且分别位于该栅极电极两侧，其中该平台结构、该栅极电极、该源极电极和该漏极电极共同构成高电子移动率晶体管。

12.一种具有平台结构的半导体元件的制作方法，包含：

提供基底和半导体堆叠层覆盖该基底；

蚀刻该半导体堆叠层以形成多个沟槽，其中两个相邻的该多个沟槽之间的该半导体堆叠层构成平台；以及

以离子轰击该多个沟槽以在各该沟槽的二个侧壁和一底部形成晶格破坏区。

13.如权利要求12所述的具有平台结构的半导体元件的制作方法，另包含：

在形成该晶格破坏区后，在各该沟槽表面形成一绝缘层。

14.如权利要求13所述的具有平台结构的半导体元件的制作方法，其中该绝缘层的厚度小于5纳米。

15.如权利要求13所述的具有平台结构的半导体元件的制作方法，其中该绝缘层是利用氧化制作工艺或氮化制作工艺形成。

16.如权利要求12所述的具有平台结构的半导体元件的制作方法，另包含：

在形成该晶格破坏区后，形成栅极电极、源极电极和漏极电极于该平台上；以及

形成保护层覆盖该多个沟槽、该平台、该栅极电极、该源极电极和该漏极电极。

17.如权利要求12所述的具有平台结构的半导体元件的制作方法，其中以离子轰击时，利用氮、氧、氢、氟、氦、氩、镁、锌、磷、氦、铁、氪、氙-131、硼或砷轰击该多个侧壁和该底部。

18.如权利要求12所述的具有平台结构的半导体元件的制作方法，其中该平台包含一III-V族半导体堆叠层。