[发明专利]一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201911196795.7 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110880534B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;刘勇;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管，从下至上依次包括：衬底、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、p‑GaN层、栅极，器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝化层；在氮化镓沟道层与衬底之间设有一层由第一铝镓氮区域、第一绝缘介质区域、第二绝缘介质区域和第四铝镓氮区域横向排列而成的复合结缓冲层，第二绝缘介质区域与第一绝缘介质区域的绝缘介质相对介电常数不同；通过引入复合结构第一绝缘介质区域和第二绝缘介质区域，或第二铝镓氮区域与第三铝镓氮区域替换常规器件缓冲层中的氮化镓或铝镓氮，可以有效降低缓冲层的泄漏电流，从而提高器件的击穿电压和开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 缓冲 氮化 镓异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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