[发明专利]一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201911196795.7 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110880534B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;刘勇;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 缓冲 氮化 镓异质结 场效应 晶体管 | ||
1.一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管，其特征在于：从下至上依次包括：衬底(112)、氮化镓沟道层(107)、铝镓氮势垒层(106)，铝镓氮势垒层(106)上方设有源极(101)、漏极(103)、p-GaN层(105)、栅极(102)，其中源极(101)与漏极(103)均与铝镓氮势垒层(106)形成欧姆接触，栅极(102)与p-GaN层(105)形成欧姆接触，器件上表面源极(101)与栅极(102)之间、以及栅极(102)与漏极(103)之间都覆盖有一层钝化层(104)；在所述的氮化镓沟道层(107)与衬底(112)之间还设有一层由第一铝镓氮区域(109)、第一绝缘介质区域(110)、第二绝缘介质区域(111)和第四铝镓氮区域(108)横向排列而成的复合缓冲层，第二绝缘介质区域(111)的绝缘介质相对介电常数与第一绝缘介质区域(110)的绝缘介质相对介电常数不同；复合缓冲层上方与所述氮化镓沟道层(107)相接，复合缓冲层下方与衬底(112)相接。
2.根据权利要求1所述的一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管，其特征在于：第二绝缘介质区域(111)、第一绝缘介质区域(110)的接触界面位于栅极和漏极之间。
3.根据权利要求1所述的一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管，其特征在于：所述的第二绝缘介质区域(111)和第一绝缘介质区域(110)的水平宽度之和小于器件整体缓冲层宽度，且均在0和器件整体缓冲层宽度范围内任意设置。
4.根据权利要求1所述的一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管，其特征在于：第一绝缘介质区域(110)与第二绝缘介质区域(111)组成的复合结构沿栅极至漏极方向重复排列。
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