[发明专利]一种磁性随机存储器存储单元及磁性随机存储器在审
申请号: | 201911194698.4 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN112864307A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/02 | 分类号: | H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201815 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁性随机存储器存储单元及磁性随机存储器,存储单元包括层叠设置的参考层、势垒层、第一自由层,在第一自由层上方進一步包括多层第二自由层组,多层第二自由层組是由其下层的垂直耦合层与上层的第二自由层,以叠加垂直耦合层/第二自由层双层结构方式依序叠加所組成,并在其最上层第二自由层的上方制作一磁阻尼阻挡层;垂直磁耦合层用于实现第一自由层与第二自由层的强磁性耦合,并提供额外的垂直界面各项异性来源;磁阻尼阻挡层提供额外的各向异性来源,并同时减少膜层的磁阻尼系数。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁性 随机 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】:
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