[发明专利]一种磁性随机存储器存储单元及磁性随机存储器在审
申请号: | 201911194698.4 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN112864307A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/02 | 分类号: | H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201815 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁性 随机 存储器 存储 单元 | ||
1.一种具有多层自由层的磁性随机存储器存储单元,包括从下而上层叠设置的参考层、势垒层、第一自由层、覆盖层,其特征在于,在所述覆盖层下方且第一自由层上方设置多层第二自由层组,该多层第二自由层组是由其下层的垂直耦合层与上层的第二自由层,以叠加垂直耦合层/第二自由层双层结构方式依序叠加n层所组成,并在其最上层第二自由层的上方制作一磁阻尼阻挡层,提供一个垂直界面各向异性予所有第二自由层的磁化矢量,并减少整个膜层的磁阻尼系数;
其中,2≤n≤6,且所述所有第二自由层的磁化矢量始终垂直于所述第一自由层界面,并与第一自由层中的磁化矢量平行。
2.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储单元,其特征在于,所述垂直耦合层为MgO,ZrO2,ZnO,Al2O3,GaO,Y2O3,SrO,Sc2O3,TiO2,HfO2,V2O5,Nb2O5,Ta2O5,CrO3,MoO3,WO3,RuO2,OsO2,TcO,ReO,RhO,rO,SnO,SbO,MgZnxOy,MgBxOy,MgTixOy,MgHfxOy,MgVxOy,MgNbxOy,MgTaxOy,MgCrxOy,MgMoxOy,MgWxOy,MgRuxOy,MgRhxOy,MgIrxOy,MgSnxOy,MgSbxOy,MgCoxOy,MgCoxFeyOz或MgAlxOy,其厚度为0.3nm~2.5nm。
3.根据权利要求1所述的磁性随机存储器存储单元,其特征在于,所述磁阻尼阻挡层为MgO,ZrO2,ZnO,Al2O3,GaO,Y2O3,SrO,Sc2O3,TiO2,HfO2,V2O5,Nb2O5,Ta2O5,CrO3,MoO3,WO3,RuO2,OsO2,TcO,ReO,RhO,IrO,SnO,SbO,MgZnxOy,MgBxOy,MgTixOy,MgHfxOy,MgVxOy,MgNbxOy,MgTaxOy,MgCrxOy,MgMoxOy,MgWxOy,MgRuxOy,MgRhxOy,MgIrxOy,MgSnxOy,MgSbxOy,MgCoxOy,MgCoxFeyOz或MgAlxOy,其厚度为0.5nm~3.0nm。
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