[发明专利]一种简单、高效降低SiC单晶中碳包裹物的方法有效
| 申请号： | 201911190543.3 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110872728B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 谢雪健;徐现刚;陈秀芳;杨祥龙;胡小波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种简单、高效降低SiC单晶中碳包裹物的方法，包括步骤如下：以Si粉和C粉作为原料，使C粉过量，在真空高温条件下制备富碳SiC粉料；以富碳SiC粉料为原料，采用物理气相传输法，制备SiC单晶；或者，采用物理气相传输法，将Si/C＝1:1的SiC粉料置于石墨坩埚底部，并在生长低温区放置C粉，制备SiC单晶。本发明中降低SiC单晶中的碳包裹物的方法，在降低晶体中碳包裹物的同时，不会在晶体中产生额外的微管、多型夹杂等缺陷，能够大幅度提高SiC单晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简单 高效 降低 sic 单晶中碳 包裹 方法 | ||
【主权项】：
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