[发明专利]一种简单、高效降低SiC单晶中碳包裹物的方法有效
| 申请号： | 201911190543.3 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110872728B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 谢雪健;徐现刚;陈秀芳;杨祥龙;胡小波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 简单 高效 降低 sic 单晶中碳 包裹 方法 | ||
1.一种降低SiC单晶中碳包裹物的方法，包括步骤如下：
以Si粉和C粉作为原料，使C粉过量，在真空高温条件下制备富碳SiC粉料；以富碳SiC粉料为原料，采用物理气相传输法，制备SiC单晶；用于生长4H-SiC单晶时，Si粉与C粉摩尔比为（0.85~0.90）：1；用于生长6H-SiC单晶时，Si粉与C粉摩尔比为（0.91~0.98）：1；
或者，采用物理气相传输法，将Si/C=1:1的SiC粉料置于石墨坩埚底部，并在SiC粉料低温区放置C粉，制备SiC单晶；在SiC粉料低温区放置的C粉为SiC粉料中Si的摩尔含量的2.05%~17.65%；
物理气相传输法制备SiC单晶过程中，将富碳SiC粉料置于石墨坩埚底部，SiC籽晶置于石墨坩埚顶部，加热石墨坩埚生长SiC单晶；
加热石墨坩埚上盖中心的温度为2100-2300℃，SiC粉料依据温度划分为低温区和高温区，低温区温度为2300~2400℃，高温区温度为2400~2600℃。
2.根据权利要求1所述的降低SiC单晶中碳包裹物的方法，其特征在于，制备富碳SiC粉料过程中，真空度在10 Pa以下。
3.根据权利要求1所述的降低SiC单晶中碳包裹物的方法，其特征在于，制备富碳SiC粉料过程中，反应温度为1900℃-2400℃。
4.根据权利要求1所述的降低SiC单晶中碳包裹物的方法，其特征在于，制备富碳SiC粉料过程中，合成时间为3~10h。
5.根据权利要求1所述的降低SiC单晶中碳包裹物的方法，其特征在于，制得SiC单晶后，将制备的SiC单晶进行切割、研磨、抛光处理，得到SiC衬底。
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