[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括玻璃基板、遮光层、缓冲层、氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、氧化铝层、层间绝缘层、源漏极金属层以及钝化层。阵列基板的制作方法包括步骤：提供一玻璃基板、制作遮光层、制作缓冲层、制作氧化物半导体层、制作栅极绝缘层、制作栅极金属层、制作光阻层并黄光刻蚀、制作所述氧化物半导体层的导体区以及氧化铝层、制作层间绝缘层、制作源漏极金属层以及制作钝化层。本发明合理考虑了载流子向栅极绝缘层下方扩散的距离，从而使得形成的沟道区更长，从而确保了沟道区能够进一步缩短，有利于阵列基板尺寸的缩小，进而有利于提高阵列基板的开口率，提高分辨率。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n玻璃基板；/n遮光层，设于所述玻璃基板上；/n缓冲层，设于所述遮光层上；/n氧化物半导体层，设于所述缓冲层上，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；/n栅极绝缘层，设于所述氧化物半导体层上的中部区域；/n栅极金属层，设于所述栅极绝缘层上；/n还原金属层，设于所述缓冲层上并延伸覆盖所述氧化物半导体层两端的部分区域，且所述还原金属层与所述栅极绝缘层间隔设置，所述还原金属层用于还原其覆盖的所述氧化物半导体层形成所述导体区；/n层间绝缘层，设于所述还原金属层、所述栅极金属层及所述栅极绝缘层上；/n源漏极金属层，设于所述层间绝缘层上并与所述导体区电连接；以及/n钝化层，设于所述源漏极金属层上。/n