[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括玻璃基板、遮光层、缓冲层、氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、氧化铝层、层间绝缘层、源漏极金属层以及钝化层。阵列基板的制作方法包括步骤：提供一玻璃基板、制作遮光层、制作缓冲层、制作氧化物半导体层、制作栅极绝缘层、制作栅极金属层、制作光阻层并黄光刻蚀、制作所述氧化物半导体层的导体区以及氧化铝层、制作层间绝缘层、制作源漏极金属层以及制作钝化层。本发明合理考虑了载流子向栅极绝缘层下方扩散的距离，从而使得形成的沟道区更长，从而确保了沟道区能够进一步缩短，有利于阵列基板尺寸的缩小，进而有利于提高阵列基板的开口率，提高分辨率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

目前的顶栅自对准氧化物半导体阵列基板的载流子，即有源层中的电子容易向沟道区外部扩散，造成短沟道效应。因此，在氧化物半导体缩小到一定距离后就不能进一步变窄，不利于进一步的短沟道阵列基板设计。

如图1所示，为现有的一种阵列基板的结构示意图，阵列基板900包括从下至上依次层叠设置的玻璃基板901、遮光层902、缓冲层903、有源层904、栅极绝缘层905、栅极金属层906、还原金属层907、层间绝缘层908、源漏极金属层909以及钝化层910，其中有源层904的材质为氧化物半导体，还原金属层907的材质为铝，铝层覆盖在层间绝缘层908下方的整个表层，经退火处理后会对铝层覆盖的那部分氧化物半导体进行导体化形成掺杂区914，但是同时也存在载流子的扩散，因此在退火处理时的氧化物半导体中的载流子向栅极绝缘层905下方的区域扩散，在栅极绝缘层905下方形成有效的沟道924长度变短。

因此，确有必要来开发一种新型的阵列基板及其制作方法，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种阵列基板及其制作方法，通过使用还原金属层覆盖在氧化物半导体层的两端并与所述栅极绝缘层间隔设置，并进一步退火处理进行还原反应进行导体化使还原金属层覆盖的氧化物半导体层形成导体区，合理考虑了载流子向栅极绝缘层下方扩散的距离，从而使得形成的沟道区更长，从而确保了沟道区能够进一步缩短，有利于阵列基板尺寸的缩小，进而有利于提高阵列基板的开口率，提高分辨率。

为了实现上述目的，本发明其中一实施例中提供一种阵列基板，包括玻璃基板、遮光层、缓冲层、氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、还原金属层、层间绝缘层、源漏极金属层以及钝化层；所述遮光层设于所述玻璃基板上；所述缓冲层设于所述遮光层上；所述氧化物半导体层设于所述缓冲层上，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；所述栅极绝缘层设于所述氧化物半导体层上的中部区域；所述栅极金属层设于所述栅极绝缘层上；所述还原金属层设于所述缓冲层上并延伸覆盖所述氧化物半导体层两端的部分区域，且所述还原金属层与所述栅极绝缘层间隔设置，所述还原金属层用于还原其覆盖的所述氧化物半导体层形成所述导体区；所述层间绝缘层设于所述还原金属层、所述栅极金属层及所述栅极绝缘层上；所述源漏极金属层设于所述层间绝缘层上并与所述导体区电连接；所述钝化层设于所述源漏极金属层上。

进一步地，所述导体区通过退火处理的方式使得所述还原金属层还原所述氧化物半导体层制作。

进一步地，所述还原金属层的厚度为50埃-100埃。

进一步地，所述还原金属层的材质包括铝。

进一步地，所述氧化物半导体层的材质包括IGZO、IZTO或IGZTO。

进一步地，所述源漏极金属层包括源电极和漏电极；所述源电极穿过位于所述层间绝缘层上的第一过孔与所述氧化物半导体层一端的导体区电连接，所述漏电极穿过位于所述层间绝缘层上的第二过孔与所述氧化物半导体层另一端的导体区电连接。

进一步地，所述漏电极还穿过位于所述层间绝缘层、所述还原金属层以及所述缓冲层上的第三过孔与所述遮光层电连接。