[发明专利]铝腐蚀的处理方法及系统有效
| 申请号： | 201911180695.5 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112864034B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 任萍萍;竺征 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C23F1/20 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;林嵩 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铝腐蚀的处理方法及系统，所述处理方法包括：S1.判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀，若是，则执行步骤S2；S2.将目标表面浸入酸性腐蚀液中，使酸性腐蚀液与金属铝发生各向同性反应，以去除金属铝上生成的腐蚀物。本发明通过图像比对和/或荧光分析能够自动、及时且准确地确定硅片上金属铝所在表面是否发生铝腐蚀的情况，即在铝腐蚀初期就可以发现腐蚀现象，进而将发生铝腐蚀的硅片浸入酸性腐蚀液中进行腐蚀处理，快速地去除掉铝和卤族元素的混合物，即通过简单有效的湿法处理，防止金属铝被进一步腐蚀，避免卤族元素和铝的继续发生反应而持续恶化，从而有效地保证了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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