[发明专利]铝腐蚀的处理方法及系统有效
申请号: | 201911180695.5 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN112864034B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 任萍萍;竺征 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;C23F1/20 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;林嵩 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腐蚀 处理 方法 系统 | ||
本发明公开了一种铝腐蚀的处理方法及系统,所述处理方法包括:S1.判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀,若是,则执行步骤S2;S2.将目标表面浸入酸性腐蚀液中,使酸性腐蚀液与金属铝发生各向同性反应,以去除金属铝上生成的腐蚀物。本发明通过图像比对和/或荧光分析能够自动、及时且准确地确定硅片上金属铝所在表面是否发生铝腐蚀的情况,即在铝腐蚀初期就可以发现腐蚀现象,进而将发生铝腐蚀的硅片浸入酸性腐蚀液中进行腐蚀处理,快速地去除掉铝和卤族元素的混合物,即通过简单有效的湿法处理,防止金属铝被进一步腐蚀,避免卤族元素和铝的继续发生反应而持续恶化,从而有效地保证了产品的可靠性。
技术领域
本发明涉及一种半导体工艺处理方法,特别涉及一种铝腐蚀的处理方法及系统。
背景技术
铝是半导体集成电路中常用的互联引线金属材料,在半导体制程的金属化工艺中铝是最为常用的金属材料。其中,Aluminum Corrosion (铝腐蚀)现象,即金属铝和F/CL(氟/氯)等卤族元素发生反应生成含F/CL的腐蚀物是一种常见现象,具体如图1和图2所示,其中,A表示硅片,B表示腐蚀物。一旦硅片上发生铝腐蚀,如若不及时准确处理,F/CL会持续和铝发生反应,使得腐蚀进一步恶化,从而给产品的可靠性带来严重的影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中出现铝腐蚀后卤族元素会持续与铝发生反应从而影响产品可靠性的缺陷,本发明提供一种铝腐蚀的处理方法及系统。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
本发明提供一种铝腐蚀的处理方法,所述处理方法包括:
S1.判断被处理对象上金属铝所在的目标表面是否发生铝腐蚀,若是,则执行步骤S2;
S2.将所述目标表面浸入酸性腐蚀液中,使所述酸性腐蚀液与所述金属铝发生各向同性反应,以去除所述金属铝上生成的腐蚀物。
较佳地,步骤S2之后还包括:
S3.采用去离子水冲洗所述目标表面。
较佳地,步骤S1包括:
S11.采用扫描设备扫描所述目标表面并获取目标图像;
S12.判断所述目标图像与样本图像是否一致,若是,则确定所述目标表面未发生铝腐蚀;否则,确定所述目标表面发生铝腐蚀。
较佳地,步骤S1包括:
S13.采用至少一个设定入射角度的光束照向所述目标表面并获取对应的反射光束的反射角度;
S14. 判断所述反射角度是否与所述设定入射角度相等,若是,则确定所述目标表面未发生铝腐蚀;否则,确定所述目标表面发生铝腐蚀;或,
当采用多个所述设定入射角度的光束照向所述目标表面时,步骤S13之后还包括:
S15.获取所述反射角度相同的所述反射光束的第一数量;
S16.计算所述第一数量与所述设定入射角度的光束的总数量的比值;
S17.判断所述比值是否超过设定阈值,若超过,则确定所述目标表面未发生铝腐蚀;否则,确定所述目标表面发生铝腐蚀。
较佳地,所述腐蚀物为含有铝和卤族元素的混合物;
步骤S1包括:
S18.采用荧光分析设备向所述目标表面发射设定波长的入射光并获取对应的荧光图像;
S19.对所述荧光图像进行分析,判断是否存在卤族元素,若存在,则确定所述目标表面发生铝腐蚀;否则,确定所述目标表面未发生铝腐蚀。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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