[发明专利]一种不同阴离子掺杂四氧化三钴多级纳米结构的制备方法在审
| 申请号： | 201911175447.1 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110935472A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郑金龙;吕超杰;吴凯利 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | B01J27/02 | 分类号： | B01J27/02;B01J27/185;B01J27/24;B01J37/10;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种不同阴离子掺杂四氧化三钴多级纳米结构的制备方法。通过一步水热法制备得到纳米片表面生长纳米线的多级阵列结构，该多级纳米结构有利于催化材料活性表面积的充分暴露以及与电解液的充分接触。此外通过不同的热处理方式，分别制得氮原子、磷原子和硫原子掺杂的四氧化三钴多级阵列结构，以改善本征Co |
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| 搜索关键词： | 一种 不同 阴离子 掺杂 氧化 多级 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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