[发明专利]洗晶边工艺方法有效
| 申请号： | 201911173151.6 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110729180B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 罗丁硕;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种洗晶边工艺方法，包括步骤：步骤一、在光刻胶涂布装置上对晶圆的正面进行光刻胶涂布；步骤二、从正面碰嘴喷射溶剂到晶圆的正面边缘并对晶圆进行旋转实现对晶边的光刻胶进行去除；调节晶圆转速且在保证对所述晶边的光刻胶完全去除的条件下降低晶圆转速，以减少溶剂受到的离心力并防止溶剂反溅到晶圆上；步骤三、停止正面碰嘴的喷射，从背面碰嘴喷射溶剂对晶圆背面进行清洗，背面碰嘴喷射要求保证在时间上和正面碰嘴喷射相错开。本发明能防止晶边光刻胶去除过程中溶剂反溅到晶圆上，并降低或消除由于溶剂反溅到晶圆上所形成的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 洗晶边 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种洗晶边工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供晶圆，在光刻胶涂布装置上对所述晶圆的正面进行光刻胶涂布；/n步骤二、从正面碰嘴喷射溶剂到所述晶圆的正面边缘并对所述晶圆进行旋转实现对晶边的光刻胶进行去除；结合所述晶圆边缘和所述光刻胶涂布装置的内壁杯口之间的间距以及保证对所述晶边的光刻胶完全去除这两个因素来调节所述晶圆转速，在保证对所述晶边的光刻胶完全去除的条件下，降低所述晶圆转速，以减少所述溶剂受到的离心力且使所述溶剂离开所述晶圆边缘并在碰到所述光刻胶涂布装置的内壁之后无法反溅到所述晶圆上；/n步骤三、停止所述正面碰嘴的喷射，从背面碰嘴喷射溶剂到所述晶圆的背面并对所述晶圆进行旋转实现对所述晶圆背面的清洗，所述背面碰嘴喷射要求保证在时间上和所述正面碰嘴喷射相错开。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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