[发明专利]洗晶边工艺方法

权利要求书

1.一种洗晶边工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供晶圆，在光刻胶涂布装置上对所述晶圆的正面进行光刻胶涂布；

步骤二、从正面喷嘴喷射溶剂到所述晶圆的正面边缘并对所述晶圆进行旋转实现对晶边的光刻胶进行去除；结合所述晶圆边缘和所述光刻胶涂布装置的内壁杯口之间的间距以及保证对所述晶边的光刻胶完全去除这两个因素来调节所述晶圆转速，在保证对所述晶边的光刻胶完全去除的条件下，降低所述晶圆转速，以减少所述溶剂受到的离心力且使所述溶剂离开所述晶圆边缘并在碰到所述光刻胶涂布装置的内壁之后无法反溅到所述晶圆上；

步骤三、停止所述正面喷嘴的喷射，从背面喷嘴喷射溶剂到所述晶圆的背面并对所述晶圆进行旋转实现对所述晶圆背面的清洗，所述背面喷嘴喷射要求保证在时间上和所述正面喷嘴喷射相错开。

2.如权利要求1所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：所述晶圆用于形成28nm工艺节点以下的HKMG器件，HKMG为具有高介电常数层和金属栅的栅极结构。

3.如权利要求2所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：所述晶圆边缘和所述光刻胶涂布装置的内壁杯口之间的间距达3mm以下。

4.如权利要求2所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：步骤二中所设定的所述晶圆转速通过分析实验预先确定，确定之后，相同的工艺条件都采用相同的所述晶圆转速的设定。

5.如权利要求4所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：步骤二中的调节参数还包括所述正面喷嘴的喷射角度。

6.如权利要求4所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：步骤二中的调节参数还包括所述正面喷嘴的喷射流量。

7.如权利要求4所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：所述晶圆背面和所述光刻胶涂布装置的内壁杯口之间的间距大于所述晶圆边缘和所述光刻胶涂布装置的内壁杯口之间的间距。

8.如权利要求7所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：步骤二中所述晶圆转速为500rpm～800rpm。

9.如权利要求8所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：步骤二分成两个分步骤进行，两个分步骤中的所述晶圆转速相同或不同。

10.如权利要求8所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：步骤三中所述晶圆转速为1000rpm。

11.如权利要求1所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：步骤三中所述背面喷嘴喷射到所述晶圆背面的位置和所述晶圆的边沿之间的距离大于步骤二中光刻胶被去除的所述晶圆的正面边缘的宽度。

12.如权利要求1所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：所述溶剂的材料包括丙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐或者乙烯二醇一甲胺以太醋酸盐。

13.如权利要求1所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：步骤一中所述晶圆的背面放置在旋转装置上，所述晶圆的正面水平朝上。

14.如权利要求1所述的洗晶边工艺方法，其特征在于：所述光刻胶涂布装置的内壁呈圆柱形结构，所述光刻胶涂布装置的内壁杯口位于内壁的顶部且位于所述晶圆正面上方且内壁杯口内径小于所述内壁的内径。