[发明专利]一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法在审
| 申请号： | 201911168464.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110964529A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 伏燕军;倪武;邹时兵;王朝旭;钟可君 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南昌智旭知识产权代理事务所(普通合伙) 36138 | 代理人： | 付龙 |
| 地址： | 330000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法。本发明制备的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点选择CdSe作为发射层，以ZnSe作为核和最外壳层材料，减少CdSe发射层的表面缺陷和悬键，有效抑制了量子点的闪烁，提高了ZnSe/CdSe/ZnSe量子阱量子点的荧光产率。本发明制备ZnSe/CdSe/ZnSe量子阱量子点的步骤包括：首先制备Zn、Se、Cd的前驱体溶液，然后使用高温注入法制备ZnSe量子点溶液，ZnSe量子点溶液通过控制反应条件如温度、浓度、时间等调节各层的晶格常数，减少量子点内由于晶格应力而产生的缺陷，从而制备出量子产率高、发光波段可控且稳定性好的阱式量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 荧光 znse cdse 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
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