[发明专利]一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法在审
| 申请号： | 201911168464.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110964529A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 伏燕军;倪武;邹时兵;王朝旭;钟可君 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南昌智旭知识产权代理事务所(普通合伙) 36138 | 代理人： | 付龙 |
| 地址： | 330000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 荧光 znse cdse 量子 制备 方法 | ||
1.一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在三口瓶中加入4mmol的ZnO、3mL的OA和7mL的1-ODE，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至310℃停止反应，得到0.4mmol/mL的Zn(OA)2溶液；
步骤2：在三口瓶中加入1mmol的ZnO、3mL的OA和7mL的1-ODE，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至310℃停止反应，得到0.1mmol/mL的Zn(OA)2溶液；
步骤3：在三口瓶中加入1mmol的CdO、3mL的OA和7mL的1-ODE，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至310℃停止反应，得到0.1mmol/mL的Cd(OA)2溶液；
步骤4：在三口瓶中加入2mmol的Se和20ml的1-ODE，抽真空半小时，然后通入惰性气体加热至220℃，保持180分钟后停止反应，得到0.1mmol/mL的Se-ODE溶液；
步骤5：将1mmol的Se，直接溶于1mL的TOP，得到1mmol/mL的Se-TOP，
步骤6：向三口瓶中加入15mL的1-ODE和4mL的0.4mmol/mL的Zn(OA)2溶液，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至310℃，快速注入2mL的0.1mmol/mL的Se-ODE溶液，降温至300℃，保温10分钟，停止反应，反应后的溶液进行离心去掉沉淀，取清液，加入清液等量的正己烷和三倍量的乙醇，溶液完全浑浊后，将此时的溶液进行离心，取出沉淀，用2mL甲苯将所得沉淀进行溶解，得到ZnSe量子点溶液；
步骤7：向三口瓶中加入2mL的ZnSe量子点溶液和6mL的1-ODE，升温至150℃，抽气真空半小时，然后通入惰性气体升温至280℃，以5mL/h的速率滴加按照摩尔比1:1混合的0.1mmol/mL的Cd(OA)2和0.1mmol/mL的Se-ODE，保持10分钟结束反应，反应后的溶液进行离心去掉沉淀，取清液，加入清液等量的正己烷和三倍量的乙醇，溶液完全浑浊后，将此时的溶液进行离心，取出沉淀，用2mL甲苯将所得沉淀进行溶解，得到ZnSe/CdSe量子点溶液；
步骤8：向三口瓶中加入2mL的ZnSe/CdSe量子点溶液和6mL的1-ODE，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至300℃，以1mL/h的速率分别滴加0.1mmol/mL的Zn(OA)2和1mmol/mL的Se-TOP，保持十分钟停止反应，反应后的溶液进行离心去掉沉淀，取清液，加入清液等量的正己烷和三倍量的乙醇，溶液完全浑浊后，将此时的溶液进行离心，取出沉淀，用2mL甲苯将所得沉淀进行溶解，得到ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点溶液。
2.根据权利要求书1所述的一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法，其特征在于，所述的惰性气体为氮气或氩气中的一种。
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