[发明专利]基于铁电隧道结的阻变存储器及其数据写入方法有效
| 申请号： | 201911167166.1 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111081870B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马超;罗振;殷月伟;李晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铁电隧道结的阻变存储器及阻变存储器的写入方法，将金属电极设置为阻变存储器的上电极、且将半导体基底设置为阻变存储器的下电极，构成“金属电极/铁电隧穿层/半导体基底”型的铁电隧道结。铁电隧道结在脉冲电压的调控下实现非易失的超快铁电极化翻转，阻态转变速度可快至亚纳秒量级，在工业集成电路要求的高温测试下仍可正常工作，且阻变存储器的写入电流密度低而具有低功耗的优势；通过施加不同脉冲电压得到的极化状态不同，通过调控隧穿势垒的高度和宽度形成不同的隧穿电阻状态，从而可在单个存储单元中实现更多的非易失的存储状态，使阻变存储器具有超快速度、低功耗、多阻态、非易失等优势，提高阻变存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 隧道 存储器 及其 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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