[发明专利]基于铁电隧道结的阻变存储器及其数据写入方法有效
| 申请号： | 201911167166.1 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111081870B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马超;罗振;殷月伟;李晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 隧道 存储器 及其 数据 写入 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于铁电隧道结的阻变存储器，其特征在于，包括：
半导体基底，所述半导体基底材料为Nb掺杂的SrTiO3单晶或n型Si；
设置于所述半导体基底一表面上的铁电隧穿层，所述铁电隧穿层的材料为BaTiO3，或者BiFeO3，或者PbZr1-xTixO3，其中，x不小于0.08且不大于1，或者掺杂元素的HfO2，所述掺杂元素为La、Zr、Al或Si；
设置于所述铁电隧穿层背离所述半导体基底一侧表面上的多个金属电极，所述金属电极的材料为Cu、Ti或Ag，所述金属电极的功函数大于所述半导体基底的电子亲和势；
所述阻变存储器的阻态转变速度快至亚纳秒量级。
2.根据权利要求1所述的基于铁电隧道结的阻变存储器，其特征在于，所述铁电隧穿层的厚度范围为0.4nm-5nm，包括端点值。
3.一种阻变存储器的数据写入方法，其特征在于，所述阻变存储器为权利要求1-2任意一项所述的基于铁电隧道结的阻变存储器，其中，所述写入操作方法包括：
对所述阻变存储器的半导体基底及金属电极施加脉冲电压，实现电阻存储状态的写入。
4.根据权利要求3所述的阻变存储器的数据写入方法，其特征在于，采用包括脉冲信号发生器对所述阻变存储器的半导体基底及金属电极施加脉冲电压。
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