[发明专利]溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法有效
| 申请号： | 201911153305.5 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110752296B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 江浪;张茜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 王春霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法。所述方法包括如下步骤：在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极；构筑所述源漏电极的步骤如下：将葡萄糖溶液与银氨溶液的混合液滴加至所述亲疏水图案上，在所述亲疏水图案的亲水区得到银，即为所述源漏电极。本发明方法制备的银电极(源漏电极)可用于制备有机电子器件，如所述有机电子器件为OFET、反相器或振荡器等。 | ||
| 搜索关键词： | 溶液 法制 ofet 接触 漏电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溶液法制备OFET中顶接触的源漏电极的方法，包括如下步骤：/n在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极。/n
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