[发明专利]溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法

说明书

本发明公开了一种溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法。所述方法包括如下步骤：在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极；构筑所述源漏电极的步骤如下：将葡萄糖溶液与银氨溶液的混合液滴加至所述亲疏水图案上，在所述亲疏水图案的亲水区得到银，即为所述源漏电极。本发明方法制备的银电极(源漏电极)可用于制备有机电子器件，如所述有机电子器件为OFET、反相器或振荡器等。

技术领域

本发明涉及一种溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法，属于有机场效应晶体管技术领域。

背景技术

有机场效应晶体管(OFET)由于可溶液法制备，正在引起越来越多的关注。其中源漏电极的溶液法制备至今只能停留在底接触构型上，因为溶液法制备的电极通常都是通过打印墨水的方法实现，这种方法需要很高或很长的热退火处理，如果直接打印在半导体表面，会对其性质产生很恶劣的影响。底接触构型中，源漏极和半导体层只有很狭小的接触面积，不利于电荷的注入，进而会减弱器件性能，而顶接触构型则有很大的接触面积。因此，发展全溶液法制备的顶接触源漏电极在OFET领域显得尤为重要。

发明内容

本发明的目的是提供一种溶液法制备OFET中顶接触的源漏电极的方法，是利用含有金属离子的溶液在基底的亲水区域优先发生化学反应生成金属薄膜，采用半导体时即在所述半导体层上直接沉积顶接触的源漏电极。

本发明中“顶接触”指的是源漏电极在半导体层上方。

本发明中“含有金属离子的溶液”指的是银氨溶液。

本发明中涉及的“化学反应”如下：

C₆H₁₂O₆+2A_g(NH₃)₂OH＝C₅H₁₁O₅COONH₄ +3NH₃+2A_g↓+H₂O

具体地，本发明提供的溶液法制备OFET中顶接触的源漏电极的方法，包括如下步骤：

在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极。

上述的方法中，构筑所述源漏电极的步骤如下：

将葡萄糖溶液与银氨溶液的混合液滴加至所述亲疏水图案上，在所述亲疏水图案的亲水区得到银，即为所述源漏电极。

上述的方法中，所述葡萄糖溶液与所述银氨溶液的体积比可为0.5～2，如1；

其中，所述葡萄糖溶液的浓度可为5～15mg/mL，如10mg/mL；

所述银氨溶液由氨水和硝酸银溶液反应得到，具体是：将所述氨水滴到所述硝酸银溶液中，待溶液由浑浊变澄清后，即得到所述银氨溶液；

所述硝酸银溶液的浓度可为10～30mg/mL，如20mg/mL，所述氨水的质量浓度可为1～3％，如2％。

本发明提供了两种亲疏水图案的制备方法，具体如下：

一种方法是：在所述半导体层表面固定具有电极图案的金属掩膜板；在所述半导体层表面沉积铝，去掉所述金属掩膜板，则沉积所述铝的电极区域为亲水区，裸露的所述半导体层区域为疏水区，即得到亲疏水图案；

具体可采用真空蒸镀的方式沉积所述铝，可在常规条件下进行；

所述铝的厚度为0.5～5nm。