[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911151421.3 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110828577B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王伟;赵伟明;段宁远;谢书浩 | 申请（专利权）人： | 海光信息技术（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 李梦宁 |
| 地址： | 610095 四川省成都市高新区中国(四川)自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，具体涉及一种使用Sb+注入技术减少N型FinFET接触电阻的方法以及具有低接触电阻的N型FinFET器件，本发明在衬底结构上形成半导体区域之后进行Sb+注入后并激活，然后在半导体区域上方进行金属沉积；采用尖峰退火工艺，形成金属硅化物的同时使Sb+偏凝，所述Sb+偏凝的浓度峰值位于所述金属硅化物和所述半导体区域的界面处，并且沿远离所述界面处的方向上在所述半导体区域和所述金属硅化物中的所述浓度依次递减。本发明Sb+以及后续的偏凝可以有效的降低肖特基势垒的高度，并减薄势垒的厚度，减少接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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