[发明专利]一种硫系玻璃基底低剩余反射率减反射薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201911146836.1 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110989053B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 冷健;刘华松;季一勤;庄克文;何家欢 | 申请（专利权）人： | 天津津航技术物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 王雪芬 |
| 地址： | 300308 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种硫系玻璃基底低剩余反射率减反射薄膜及其制备方法，属于真空镀膜技术领域。本发明通过膜系设计及工艺优化等手段在硫系玻璃基底上实现7.5μm‑10.5μm波段平均透过率大于98％，平均剩余反射率小于0.3％的低剩余反射率减反射薄膜的制备。本发明两侧膜系为对称结构，两面的膜系结构基本形式均为：Sub/x |
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| 搜索关键词： | 一种 玻璃 基底 剩余 反射率 反射 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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