[发明专利]红外探测器读出电路铟凸点重置方法有效
申请号: | 201911142900.9 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN110993729B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 张轶;蔡晨;刘世光;孙浩 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 张然 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法,方法包括:将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置,以去除读出电路上的报废铟凸点;在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点。采用本发明,实现了读出电路铟凸点重置,可以将读出电路上的铟凸点通过物理方法去除,然后重新生长铟凸点,可以避免读出电路因为铟凸点加工问题出现废品,实现读出电路铟凸点加工100%的良品率,进而可以使性能良好的读出电路可以重复多次使用。 | ||
搜索关键词: | 红外探测器 读出 电路 铟凸点 重置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的