[发明专利]红外探测器读出电路铟凸点重置方法有效
| 申请号: | 201911142900.9 | 申请日: | 2019-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN110993729B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | 张轶;蔡晨;刘世光;孙浩 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02 |
| 代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 张然 |
| 地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 红外探测器 读出 电路 铟凸点 重置 方法 | ||
本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法,方法包括:将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置,以去除读出电路上的报废铟凸点;在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点。采用本发明,实现了读出电路铟凸点重置,可以将读出电路上的铟凸点通过物理方法去除,然后重新生长铟凸点,可以避免读出电路因为铟凸点加工问题出现废品,实现读出电路铟凸点加工100%的良品率,进而可以使性能良好的读出电路可以重复多次使用。
技术领域
本发明涉及微电子工艺中半导体电路加工技术领域,尤其涉及一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法。
背景技术
红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点,广泛应用于预警探测、情报侦察、毁伤效果评估以及农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动,太空天文探测等领域。
碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一。伴随技术的进步,碲镉汞红外探测器的面阵规模不断发展。碲镉汞红外探测器是由碲镉汞芯片与Si基读出电路互连制备而成,因此需要在读出电路表面对应每个像元制备用于互连及电学连接的金属铟凸点(如图3所示)。一旦在读出电路表面加工的铟凸点出现问题,例如个别铟凸点掉落、铟凸点区域性粘连等,此片读出电路将不能继续使用成为废品。另外对于已经与碲镉汞芯片互连过的读出电路,尽管读出电路性能完好,由于其表面上的铟凸点已经变形或脱落也不能再次互连碲镉汞芯片,成为废品。此问题严重影响了大面阵碲镉汞红外探测器所需的高价值大面阵读出电路工艺成品率,进而严重影响大面阵碲镉汞红外探测器的制备。
发明内容
本发明实施例提供一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法,用以解决现有技术中读出电路因为铟凸点加工问题造成浪费的问题。
本发明实施例提出一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法,包括:
将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置,以去除所述读出电路上的报废铟凸点;
在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点。
根据本发明的一些实施例,所述将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置,以去除所述读出电路上的报废铟凸点,包括:
浸泡操作,包括将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置预设时间段Δt;
擦拭操作,包括用浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路;
将所述读出电路从所述丙三醇中取出并观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除,若否,则重复所述浸泡操作与所述擦拭操作。
在本发明的一些实施例中,所述T满足:165℃≤T≤200℃。
进一步的,所述T为185℃。
在本发明的一些实施例中,所述Δt满足:2min≤Δt≤5min
在本发明的一些实施例中,所述用浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路,包括:
用镊子夹持浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路设有所述报废铟凸点的一侧。
在本发明的一些实施例中,所述清洁件为长丝棉球。
在本发明的一些实施例中,所述将所述读出电路从所述丙三醇中取出并观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除,包括:
将所述读出电路从所述丙三醇中取出;
用显微镜观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除。
根据本发明的一些实施例,所述在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





