[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201911135879.X | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN110676239B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 崔永焕;黄泰周;闵台洪;池永根;韩相旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n第一半导体芯片，包括钝化层；/n第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上；/n多个第一硅通孔，位于第一半导体芯片中并穿过第一半导体芯片；/n多个接触焊盘，位于所述多个第一硅通孔上并将所述多个第一硅通孔与第二半导体芯片电连接，并且位于第一半导体芯片的第一表面上；以及/n多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片的第一表面上，并包括第一虚设焊盘、第二虚设焊盘、第三虚设焊盘和第四虚设焊盘，/n其中，钝化层直接接触所述多个虚设焊盘中的每个的整个下表面，/n第一虚设焊盘和第二虚设焊盘相对于所述多个接触焊盘位于第一侧，并且/n第三虚设焊盘和第四虚设焊盘相对于所述多个接触焊盘位于第二侧，第二侧是第一侧的相对侧。/n
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