[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一半导体芯片，包括钝化层；

第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上；

多个第一硅通孔，位于第一半导体芯片中并穿过第一半导体芯片；

多个接触焊盘，位于所述多个第一硅通孔上并将所述多个第一硅通孔与第二半导体芯片电连接，并且位于第一半导体芯片的第一表面上；以及

多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片的第一表面上，并包括第一虚设焊盘、第二虚设焊盘、第三虚设焊盘和第四虚设焊盘，

其中，钝化层直接接触所述多个虚设焊盘中的每个的整个下表面，

第一虚设焊盘和第二虚设焊盘相对于所述多个接触焊盘位于第一侧，并且

第三虚设焊盘和第四虚设焊盘相对于所述多个接触焊盘位于第二侧，第二侧是第一侧的相对侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一虚设焊盘和第二虚设焊盘沿着第一半导体芯片的第一边缘，并且

第三虚设焊盘和第四虚设焊盘沿着第一半导体芯片的第二边缘，第二边缘是第一边缘的相对边缘。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个虚设焊盘还包括：

第五虚设焊盘和第六虚设焊盘，相对于第一半导体芯片的第三边缘平行；以及

第七虚设焊盘和第八虚设焊盘，相对于第一半导体芯片的第四边缘平行，第四边缘是第三边缘的相对边缘。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一虚设焊盘与第一半导体芯片的第一边缘之间没有虚设焊盘，

第二虚设焊盘与第一半导体芯片的第一边缘之间没有虚设焊盘，

第三虚设焊盘与第一半导体芯片的第二边缘之间没有虚设焊盘，并且

第四虚设焊盘与第一半导体芯片的第二边缘之间没有虚设焊盘。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括多个第二硅通孔，所述多个第二硅通孔位于第二半导体芯片中并穿过第二半导体芯片。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个虚设焊盘中的每个下面未形成第一硅通孔。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括基底，第一半导体芯片设置在基底上，

其中，基底与第一半导体芯片之间没有虚设焊盘。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个虚设焊盘与所述多个接触焊盘由相同的材料形成。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片沿着第一方向彼此堆叠，并且

所述多个第一硅通孔中没有第一硅通孔与对应的虚设焊盘沿着第一方向形成在同一条线上。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个虚设焊盘被构造为在将第二半导体芯片接合在第一半导体芯片上时替所述多个接触焊盘承受接合力。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个虚设焊盘被构造为在将第二半导体芯片接合在第一半导体芯片上时与所述多个接触焊盘一起承受接合力。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片沿着第一方向彼此堆叠，并且

在沿着第一方向在各自的顶表面与底表面之间测量时，所述多个虚设焊盘中的每个与所述多个接触焊盘中的每个具有相同的高度。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个虚设焊盘的一部分设置在所述多个接触焊盘的左侧上，并且所述多个虚设焊盘的另一部分设置在所述多个接触焊盘的右侧上，使得沿着第一半导体芯片和第二半导体芯片堆叠的方向均匀地分布力。